Qué dijo la dirección de Micron Technology, Inc. en la llamada del Q3 2025

Trimestre récord impulsado por centros de datos e HBM

Micron cerró su tercer trimestre fiscal 2025 con ingresos de 9.300 millones de dólares, un 37 % más que en el mismo período del año anterior y un 15 % por encima del trimestre previo, estableciendo un nuevo máximo histórico para la compañía. Los resultados superaron el extremo superior de las previsiones en ingresos, margen bruto y beneficio por acción. El factor determinante fue el segmento de centros de datos, cuyos ingresos más que se duplicaron interanualmente y alcanzaron un récord por cuarto trimestre consecutivo. Dentro de ese segmento, la memoria HBM creció casi un 50 % de forma secuencial. El margen bruto consolidado fue del 39 %, 110 puntos básicos por encima del trimestre anterior, impulsado principalmente por precios mejores de lo esperado en DRAM y NAND. El flujo de caja libre superó los 1.900 millones de dólares, el nivel más alto en más de seis años.

En NAND, los ingresos ascendieron a 2.200 millones, con envíos de bits creciendo en la banda media del 20 % de forma secuencial, aunque los precios cayeron en el rango de un dígito alto. La unidad móvil creció un 45 % secuencial tras la reducción de inventarios en clientes, y la unidad embebida avanzó un 20 % apoyada en los mercados industrial y de consumo.

Perspectivas: más récords en el cuarto trimestre y grandes apuestas en fabricación doméstica

La compañía espera ingresos de 10.700 millones de dólares en el cuarto trimestre fiscal, lo que representaría un crecimiento secuencial del 15 % y un nuevo récord. La compañía espera que el margen bruto suba hasta el 42 % gracias a una combinación de productos más favorable —mayor peso de DRAM y de segmentos de centros de datos— y a mejoras de costes. El beneficio por acción proyectado es de 2,50 dólares.

En el plano estratégico, Micron anunció un plan de inversión de 200.000 millones de dólares en Estados Unidos a lo largo de más de 20 años: 150.000 millones en fabricación y 50.000 millones en investigación y desarrollo. Esto incluye una segunda fábrica de memoria de última generación en Boise, Idaho, la modernización de la planta de Manassas, Virginia —orientada a los mercados automotriz, aeroespacial, de defensa e industrial—, y el desarrollo de capacidad de empaquetado avanzado para HBM en suelo estadounidense. La compañía espera producir los primeros obleas DRAM en Idaho en la segunda mitad de 2027. Respecto a la tecnología, el nodo 1-gamma, que incorpora litografía EUV, avanza con rendimientos por encima del ritmo récord alcanzado con el nodo 1-beta.

Turno de preguntas: HBM, márgenes y señales del mercado

Los analistas centraron sus preguntas en el crecimiento y la cuota de mercado de HBM, los márgenes futuros y los posibles efectos de los aranceles sobre la demanda. Sanjay Mehrotra confirmó que Micron espera alcanzar una cuota en HBM equivalente a su cuota global en DRAM antes de lo previsto dentro del segundo semestre de 2025, citando rendimientos de fabricación que superan los planes internos. Para 2026, la compañía espera que la demanda de bits de HBM crezca muy por encima del crecimiento general de la industria DRAM. Sobre HBM4, Mehrotra indicó que la tasa de conversión de obleas es superior a 3 —frente a aproximadamente 3 en HBM3E—, lo que presionará la oferta de DRAM convencional. Sobre márgenes, Mark Murphy descartó dar orientación para el primer trimestre fiscal pero señaló que los márgenes brutos podrían seguir subiendo gracias a inventarios ajustados y foco en mezcla de productos de mayor valor. En cuanto a los aranceles, Mehrotra calificó el efecto de posibles adelantos de compras como «relativamente modesto» y no lo incluyó en la guía.