Samsung: la memoria HBM ocupará cerca del 30% de la capacidad DRAM del sector en 2027

Un ejecutivo de Samsung Electronics afirmó que la memoria de alto ancho de banda (HBM, por sus siglas en inglés) representará cerca del 30% de la capacidad total de obleas DRAM de la industria el próximo año, frente al aproximadamente 20% que registra en la actualidad, según informó Reuters el 28 de septiembre de 2026.

El avance del HBM refleja la creciente demanda de chips de memoria especializados, impulsada en gran medida por la expansión de infraestructuras de inteligencia artificial y centros de datos de alto rendimiento. Este tipo de memoria ofrece mayor velocidad y eficiencia energética en comparación con la DRAM estándar, lo que lo convierte en un componente clave para procesadores gráficos y aceleradores de IA.

El incremento proyectado implica que los fabricantes de DRAM deberán redirigir una porción significativa de su capacidad productiva hacia la elaboración de HBM, un proceso que requiere técnicas de apilamiento de chips más complejas y costosas. Empresas como Samsung, SK Hynix y Micron compiten activamente en este segmento de alto valor agregado.

Samsung no proporcionó cifras adicionales sobre su propia participación de mercado en HBM ni detalles sobre inversiones de capital asociadas a esta proyección, de acuerdo con la información disponible en Reuters.