Infineon vence a Innoscience en dos litigios por patentes de tecnología GaN

Infineon Technologies (IFNNY) obtuvo dos fallos favorables en el Tribunal de Distrito de Múnich contra la empresa china Innoscience por infracción de patentes relacionadas con tecnología de nitruro de galio (GaN), según informó Benzinga.

El tribunal prohibió a Innoscience fabricar y comercializar en Alemania los productos que vulneran las patentes de Infineon, y ordenó además el pago de daños y perjuicios. La resolución representa la tercera y cuarta derrota legal consecutiva de la compañía china frente a su rival europea.

El litigio se enmarca en una disputa más amplia sobre la propiedad intelectual en el sector de los semiconductores de potencia, donde la tecnología GaN ha cobrado especial relevancia por su eficiencia energética. Infineon mantiene procedimientos adicionales abiertos contra Innoscience tanto en Estados Unidos como en Alemania, cuyas resoluciones aún están pendientes.

El resultado refuerza la posición de Infineon en la defensa de su portafolio de patentes en un segmento de alto crecimiento dentro de la industria de semiconductores.